BSL606SNH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSL606SNH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP295H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSL606SNH6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS3 trench MOSFET Planar N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
Paket PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Durumu Compliant (Pb-free plating) Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin