BSL606SNH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL606SNH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP295H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSL606SNH6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS3 trench MOSFET Planar N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
پیکیج PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free plating) Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں