BSL606SNH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSL606SNH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSP295H6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSL606SNH6327XTSA1 | BSP295H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS3 trench MOSFET | Planar N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 4.5 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 5.6 nC (max) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C |
| מארז | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | — | 1.8 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | — | 1.8 W |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 300 mΩ |
| Tape and Reel Packing Code | — | H6327 (7-inch reel) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Drain Tab Connection | — | Pin 4 (tab) |