BSP92PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP92PH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP135H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSP92PH6327XTSA1 - P-Channel 250V 260mA MOSFET SOT-223 | Infineon
BSP92PH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP92PH6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -250 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -260 mA (Ta) | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1.8 W |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Polarity | P-Channel | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | 1 |
| पिन काउंट | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) | — |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| FET Type | — | N-Channel, Depletion Mode |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |
| Technology | — | SIPMOS (planar DMOS) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction, typical) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |