BSP92PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP92PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP135H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP92PH6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Transistor Türü P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) 120 mA
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1
Pin Sayısı 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSP135H6327XTSA1
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Technology — SIPMOS (planar DMOS)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction, typical)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin