BSP92PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSP92PH6327XTSA1 توسط Infineon و BSP135H6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSP92PH6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
نوع ترانزیستور P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) 120 mA
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W
بسته‌بندی PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
دمای کاری -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
سطح MSL 1 (unlimited) 1
تعداد پایه 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSP135H6327XTSA1
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Technology — SIPMOS (planar DMOS)
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction, typical)
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت