BTT60101ERBXUMA1 vs BTT62001ENAXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BTT60101ERBXUMA1 द्वारा Infineon और BTT62001ENAXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BTT60101ERBXUMA1 - 10mΩ Smart High-Side Switch 9A 24V/48V | Infineon
BTT60101ERBXUMA1 ✓ सक्रियInfineon
BTT62001ENAXUMA1 - 200mΩ 1.5A Smart High-Side Power Switch | Infineon
BTT62001ENAXUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BTT60101ERBXUMA1 | BTT62001ENAXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Type | Smart High-Side Power Switch | Smart High-Side Power Switch |
| Number of Channels | 1 | — |
| On-State Resistance (Typ) | 10 mΩ | — |
| Continuous Load Current | 9 A | 1.5 A |
| Supply Voltage Range | 5 V to 36 V | — |
| Reverse Battery Protection | up to -36 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +150 °C | — |
| Input Control Logic | Active High | — |
| Diagnostic Output | Status pin (ST) and current sense (IS) | Current Sense (IS) pin |
| टोपोलॉजी | N-Channel vertical MOSFET with charge pump | 1:1 N-Channel High-Side |
| Process Technology | Infineon Smart6 | — |
| पैकेज | PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad) | PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Targeted Lamp Load | 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V | — |
| Compliance | RoHS | — |
| On-State Resistance (Ron) | — | 200 mΩ (typical) |
| Operating Voltage Range | — | 5 V to 48 V |
| Technology | — | Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) |
| Protection Features | — | Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery |
| Lamp Drive Capability | — | 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40 °C to +150 °C junction |
| MSL स्तर | — | 2A (4 weeks) |
| ECCN | — | EAR99 |
| REACH Status | — | REACH Unaffected |