BTT60101ERBXUMA1 vs BTT62001ENAXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTT60101ERBXUMA1 מאת Infineon ו BTT62001ENAXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTT60101ERBXUMA1 BTT62001ENAXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Number of Channels 1 —
On-State Resistance (Typ) 10 mΩ —
Continuous Load Current 9 A 1.5 A
Supply Voltage Range 5 V to 36 V —
Reverse Battery Protection up to -36 V —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +150 °C —
Input Control Logic Active High —
Diagnostic Output Status pin (ST) and current sense (IS) Current Sense (IS) pin
טופולוגיה N-Channel vertical MOSFET with charge pump 1:1 N-Channel High-Side
Process Technology Infineon Smart6 —
מארז PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad) PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Targeted Lamp Load 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V —
Compliance RoHS —
On-State Resistance (Ron) — 200 mΩ (typical)
Operating Voltage Range — 5 V to 48 V
Technology — Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Protection Features — Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery
Lamp Drive Capability — 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V
טמפרטורת פעולה — -40 °C to +150 °C junction
רמת MSL — 2A (4 weeks)
ECCN — EAR99
REACH Status — REACH Unaffected

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר