FDD8896-F085 vs FDD8896 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना FDD8896-F085 द्वारा onsemi और FDD8896 द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

onsemi
FDD8896 FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर FDD8896-F085 FDD8896
ब्रांड onsemi onsemi
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete उत्पादन बंद
Manufacturer onsemi (Fairchild Semiconductor) Fairchild Semiconductor (now onsemi)
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench-Gate) PowerTrench (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 94 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 17 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 5.7 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 80 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max 20 V [DATA_NEEDED: Vgs Max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 2.0 V —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (Tj) —
पैकेज TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS / Halogen-Free Status Compliant / Halogen-Free —
Lead-Free Yes —
MSL स्तर 1 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel PowerTrench MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Configuration — Single FET
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Packing — Tape & Reel (T/R)

डेटाशीट और संसाधन

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