FDD8896-F085 vs FDD8896 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار FDD8896-F085 توسط onsemi و FDD8896 توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

onsemi
FDD8896 FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 ✗ پایان تولید

مقایسه مشخصات

پارامتر FDD8896-F085 FDD8896
برند onsemi onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر Obsolete پایان عمر محصول
Manufacturer onsemi (Fairchild Semiconductor) Fairchild Semiconductor (now onsemi)
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench-Gate) PowerTrench (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 94 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 17 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 5.7 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 80 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max 20 V [DATA_NEEDED: Vgs Max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 2.0 V —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (Tj) —
بسته‌بندی TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS / Halogen-Free Status Compliant / Halogen-Free —
Lead-Free Yes —
سطح MSL 1 —
نوع ترانزیستور — N-Channel PowerTrench MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Configuration — Single FET
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Packing — Tape & Reel (T/R)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت