FF1400R17T2P8 vs FF2000R17T2P8 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना FF1400R17T2P8 द्वारा Infineon और FF2000R17T2P8 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
FF1400R17T2P8 FF1400R17T2P8 - 1700V 1400A XHP2 IGBT Module | Infineon

FF1400R17T2P8 - 1700V 1400A XHP2 IGBT Module | Infineon

FF1400R17T2P8 ✓ सक्रिय
Infineon
FF2000R17T2P8 FF2000R17T2P8 - 1700V 2000A XHP2 Half-Bridge IGBT | Infineon

FF2000R17T2P8 - 1700V 2000A XHP2 Half-Bridge IGBT | Infineon

FF2000R17T2P8 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर FF1400R17T2P8 FF2000R17T2P8
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी IGBTs IGBTs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology TRENCHSTOP IGBT8, EC8 diode —
Configuration Half-bridge (Chopper 2) —
पैकेज XHP 2 (AG-XHP2K17) —
Collector-Emitter Voltage (VCES) 1700 V 1700 V
Nominal Collector Current (IC nom) 1400 A —
Repetitive Peak Collector Current (ICRM) 2800 A —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Integrated Temperature Sensor NTC thermistor NTC
Freewheeling Diode EC8 emitter controlled, soft fast recovery —
Qualification Industrial, per relevant tests of IEC 60747, 60749, 60068 —
माउंटिंग प्रकार Chassis Mount Chassis Mount Module
DC-Link Voltage Class Approx. 1000 V to 1100 V typical —
Module Stray Inductance [DATA_NEEDED: internal stray inductance] —
Thermal Resistance Junction to Case (RthJC IGBT) [DATA_NEEDED: RthJC per IGBT] —
Gate-Emitter Threshold Voltage [DATA_NEEDED: VGE(th)] —
पावर डिसिपेशन (Ptot) [DATA_NEEDED: total power dissipation] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
टोपोलॉजी — Half-Bridge (2-in-1)
Package Platform — XHP 2 (XHPTM2)
Nominal DC Collector Current — 2000 A
IGBT Technology — TRENCHSTOP IGBT8 trench field-stop
Diode Technology — Emitter controlled 8 (EC8) soft recovery
Applications Grade — Industrial / traction / wind
Short-Circuit Capability — Short-circuit rated per datasheet
कलेक्टर-एमिटर सैचुरेशन वोल्टेज (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical]
Gate-Emitter Voltage (VGES) — [DATA_NEEDED: maximum VGES]
Thermal Resistance Junction to Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC per IGBT]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — [DATA_NEEDED: Tj range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: maximum Ptot]

डेटाशीट और संसाधन

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