FF1400R17T2P8 vs FF2000R17T2P8 So sánh

So sánh chi tiết song song của FF1400R17T2P8 bằng Infineon và FF2000R17T2P8 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
FF1400R17T2P8 FF1400R17T2P8 - 1700V 1400A XHP2 IGBT Module | Infineon

FF1400R17T2P8 - 1700V 1400A XHP2 IGBT Module | Infineon

FF1400R17T2P8 ✓ Hoạt động
Infineon
FF2000R17T2P8 FF2000R17T2P8 - 1700V 2000A XHP2 Half-Bridge IGBT | Infineon

FF2000R17T2P8 - 1700V 2000A XHP2 Half-Bridge IGBT | Infineon

FF2000R17T2P8 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số FF1400R17T2P8 FF2000R17T2P8
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs IGBTs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology TRENCHSTOP IGBT8, EC8 diode —
Configuration Half-bridge (Chopper 2) —
Hộp XHP 2 (AG-XHP2K17) —
Collector-Emitter Voltage (VCES) 1700 V 1700 V
Nominal Collector Current (IC nom) 1400 A —
Repetitive Peak Collector Current (ICRM) 2800 A —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Integrated Temperature Sensor NTC thermistor NTC
Freewheeling Diode EC8 emitter controlled, soft fast recovery —
Qualification Industrial, per relevant tests of IEC 60747, 60749, 60068 —
Kiểu lắp đặt Chassis Mount Chassis Mount Module
DC-Link Voltage Class Approx. 1000 V to 1100 V typical —
Module Stray Inductance [DATA_NEEDED: internal stray inductance] —
Thermal Resistance Junction to Case (RthJC IGBT) [DATA_NEEDED: RthJC per IGBT] —
Gate-Emitter Threshold Voltage [DATA_NEEDED: VGE(th)] —
Tiêu hao điện năng (Ptot) [DATA_NEEDED: total power dissipation] —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Cấu trúc — Half-Bridge (2-in-1)
Package Platform — XHP 2 (XHPTM2)
Nominal DC Collector Current — 2000 A
IGBT Technology — TRENCHSTOP IGBT8 trench field-stop
Diode Technology — Emitter controlled 8 (EC8) soft recovery
Applications Grade — Industrial / traction / wind
Short-Circuit Capability — Short-circuit rated per datasheet
N Nap-Emit (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical]
Gate-Emitter Voltage (VGES) — [DATA_NEEDED: maximum VGES]
Thermal Resistance Junction to Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC per IGBT]
Nhiệt độ mối nối hoạt động — [DATA_NEEDED: Tj range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: maximum Ptot]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá