H5AN4G6NBJR-PBC vs K4A4G165WD-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G6NBJR-PBC द्वारा SK hynix और K4A4G165WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G6NBJR-PBC | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (double data rate, synchronous) | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| पैकेज | FBGA-96 (PBGA96), rectangular | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Data Rate / Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] | — |
| Process | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Temperature Grade | OTHER (per distributor listing) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Lead free / RoHS Compliant |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |