H5AN4G6NBJR-PBC vs K4A4G165WD-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN4G6NBJR-PBC bằng SK hynix và K4A4G165WD-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN4G6NBJR-PBC | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Tổ chức | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Giao diện | DDR4 (double data rate, synchronous) | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Hộp | FBGA-96 (PBGA96), rectangular | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Tính năng | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Data Rate / Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] | — |
| Process | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Temperature Grade | OTHER (per distributor listing) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| Loại giao diện | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Trạng thái RoHS | — | Lead free / RoHS Compliant |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |