H5AN4G6NBJR-UHC vs K4A4G165WD-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G6NBJR-UHC द्वारा SK hynix और K4A4G165WD-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G6NBJR-UHC | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| Technology | CMOS | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C | 0C to +85C (commercial) |
| पैकेज | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (external RZQ resistor) |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 4 Gbit |
| डेटा दर | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| इंटरफ़ेस | — | SSTL-12 |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |