H5AN4G6NBJR-UHC vs K4A4G165WD-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G6NBJR-UHC מאת SK hynix ו K4A4G165WD-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN4G6NBJR-UHC | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| Technology | CMOS | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | 0C to +85C (commercial) |
| מארז | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (external RZQ resistor) |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 4 Gbit |
| קצב נתונים | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| ממשק | — | SSTL-12 |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |