H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-RDC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-UHCR द्वारा SK hynix और H5AN4G8NBJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-RDC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
संगठन 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V (VDD) [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
इंटरफ़ेस DDR4 SSTL12 DDR4 (Double Data Rate IV)
Internal Prefetch 8n —
पैकेज 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) 78-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
RoHS स्थिति Compliant Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] Auto-refresh and self-refresh
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] —
डेटा दर — [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध