H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-UHCR tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organizasyon 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) —
Besleme Gerilimi 1.2 V (VDD) [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Arayüz DDR4 SSTL12 DDR4 (Double Data Rate IV)
Internal Prefetch 8n —
Paket 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
Klorürsüz Yes —
RoHS Durumu Compliant Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] Auto-refresh and self-refresh
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] —
Veri Hızı — [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin