H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NDJR-XNC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NCJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NDJR-XNC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| डेटा दर | 3200 MT/s (DDR4-3200) | up to 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| पैकेज | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | DDR4 (JEDEC standard) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| संगठन | — | x8 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |