H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NDJR-XNC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NDJR-XNC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| קצב נתונים | 3200 MT/s (DDR4-3200) | up to 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| מארז | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ממשק | Parallel | DDR4 (JEDEC standard) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| ארגון | — | x8 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |