H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NDJR-XNC توسط SK hynix و H5AN8G8NCJR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NDJR-XNC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| نرخ داده | 3200 MT/s (DDR4-3200) | up to 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| رابط | Parallel | DDR4 (JEDEC standard) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| سازمان | — | x8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |