H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-RDC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN8G8NDJR-XNC sa pamamagitan ng SK hynix at H5AN8G8NCJR-RDC sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN8G8NDJR-XNC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| Rate ng Data | 3200 MT/s (DDR4-3200) | up to 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| Packhaging | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Interface | Parallel | DDR4 (JEDEC standard) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| Organisasyon | — | x8 |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Temperature na Operasyon | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |