H5TC4G63CFR-H9A vs W634GU6RB-11TR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-H9A द्वारा SK hynix और W634GU6RB-11TR द्वारा Winbond. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ सक्रिय
Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63CFR-H9A W634GU6RB-11TR
ब्रांड SK hynix Winbond
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
पैकेज 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
डेटा दर [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] 1866 MT/s
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
मेमोरी आकार — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
सप्लाई वोल्टेज — 1.35V (1.5V compatible)
इंटरफ़ेस — Parallel
ऑपरेटिंग तापमान — -40°C to +95°C
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
हैलोजन फ्री — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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