H5TC4G63CFR-H9A vs W634GU6RB-11TR Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63CFR-H9A sa pamamagitan ng SK hynix at W634GU6RB-11TR sa pamamagitan ng Winbond. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Nakahanda
Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro H5TC4G63CFR-H9A W634GU6RB-11TR
Brand SK hynix Winbond
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Uri ng Memory DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
Organisasyon 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Packhaging 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Hanay ng Temperature na Operasyon [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
Tindminan RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Wala sa Halogen Yes —
Rate ng Data [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] 1866 MT/s
Latensya ng CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
Laki ng Memory — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Volte ng Pagbibigay — 1.35V (1.5V compatible)
Interface — Parallel
Temperature na Operasyon — -40°C to +95°C
Uri ng Pagpapasok — Surface Mount
Wala sa Halogen — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita