H5TC4G63CFR-H9A vs W634GU6RB-11TR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-H9A بواسطة SK hynix و W634GU6RB-11TR بواسطة Winbond. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ نشط
Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63CFR-H9A W634GU6RB-11TR
العلامة التجارية SK hynix Winbond
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
العلبة 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
معدل البيانات [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] 1866 MT/s
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
حجم الذاكرة — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
جهد التغذية — 1.35V (1.5V compatible)
الواجهة — Parallel
درجة حرارة التشغيل — -40°C to +95°C
نوع التركيب — Surface Mount
خالٍ من الهالوجين — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر