H5TC4G63CFR-H9A vs W634GU6RB-11TR 比較

詳細並排比較 H5TC4G63CFR-H9A 由 SK hynix 與 W634GU6RB-11TR 由 Winbond. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ 啟用中
Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ 啟用中

規格比較

參數 H5TC4G63CFR-H9A W634GU6RB-11TR
品牌 SK hynix Winbond
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
組織 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
封裝 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
工作溫度範圍 [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
無鹵素 Yes —
資料速率 [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] 1866 MT/s
CAS 延遲 [DATA_NEEDED: CAS latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
記憶體容量 — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
供應電壓 — 1.35V (1.5V compatible)
介面 — Parallel
工作溫度 — -40°C to +95°C
安裝類型 — Surface Mount
無鹵素 — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes

資料表與資源

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