IKD15N60RFATMA1 vs IGB30N60H3ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IKD15N60RFATMA1 द्वारा Infineon और IGB30N60H3ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ सक्रिय
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IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IKD15N60RFATMA1 IGB30N60H3ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी IGBTs IGBTs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (VCES) 600 V —
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) 30 A —
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) 15 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] —
Gate-Emitter Voltage (VGES) +/-20 V —
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V 1.5 V (typical) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 250 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40C to +175C -40C to +175C
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (RC-Drives Fast, co-packaged) —
पैकेज PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Switching Speed Class Hard-switching, RC-Drives Fast —
Target Application Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives) —
RoHS Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — TRENCHSTOP IGBT3
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) — 60 A
Pulsed Collector Current (ICpuls) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current value]
पावर डिसिपेशन (Ptot) — 187 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — +/- 20 V
कलेक्टर-एमिटर सैचुरेशन वोल्टेज (Vce(sat)) — 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V)
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value]
Turn-Off Time (toff) — 262 ns (nominal)
Configuration — Single IGBT
Storage Temperature — -55C to +150C
Terminal Form — Gull Wing
पिन काउंट — 3 (2 + Tab)
RoHS स्थिति — Compliant
Switching Behavior — MOSFET-like turn-off

डेटाशीट और संसाधन

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