IKD15N60RFATMA1 vs IGB30N60H3ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IKD15N60RFATMA1 bằng Infineon và IGB30N60H3ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IKD15N60RFATMA1 IGB30N60H3ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs IGBTs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (VCES) 600 V —
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) 30 A —
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) 15 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] —
Gate-Emitter Voltage (VGES) +/-20 V —
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V 1.5 V (typical) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 250 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40C to +175C -40C to +175C
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (RC-Drives Fast, co-packaged) —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Switching Speed Class Hard-switching, RC-Drives Fast —
Target Application Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives) —
RoHS Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — TRENCHSTOP IGBT3
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) — 60 A
Pulsed Collector Current (ICpuls) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current value]
Tiêu hao điện năng (Ptot) — 187 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — +/- 20 V
N Nap-Emit (Vce(sat)) — 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V)
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value]
Turn-Off Time (toff) — 262 ns (nominal)
Configuration — Single IGBT
Storage Temperature — -55C to +150C
Terminal Form — Gull Wing
Số chân — 3 (2 + Tab)
Trạng thái RoHS — Compliant
Switching Behavior — MOSFET-like turn-off

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá