IKD15N60RFATMA1 vs IGB30N60H3ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IKD15N60RFATMA1 بذریعہ Infineon اور IGB30N60H3ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ فعال
Infineon
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IKD15N60RFATMA1 IGB30N60H3ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ IGBTs IGBTs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (VCES) 600 V —
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) 30 A —
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) 15 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] —
Gate-Emitter Voltage (VGES) +/-20 V —
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V 1.5 V (typical) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 250 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -40C to +175C -40C to +175C
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (RC-Drives Fast, co-packaged) —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Switching Speed Class Hard-switching, RC-Drives Fast —
Target Application Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives) —
RoHS Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — TRENCHSTOP IGBT3
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) — 60 A
Pulsed Collector Current (ICpuls) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current value]
پاور ڈسپیشن (Ptot) — 187 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — +/- 20 V
کلیکٹر-ایمیٹر سیچوریشن وولٹیج (Vce(sat)) — 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V)
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value]
Turn-Off Time (toff) — 262 ns (nominal)
Configuration — Single IGBT
Storage Temperature — -55C to +150C
Terminal Form — Gull Wing
پن کی تعداد — 3 (2 + Tab)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Switching Behavior — MOSFET-like turn-off

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں