IPB019N08N3GATMA1 vs IRFB3207ZPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB019N08N3GATMA1 द्वारा Infineon और IRFB3207ZPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
IPB019N08N3GATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB019N08N3GATMA1 | IRFB3207ZPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Series | OptiMOS 3 | HEXFET |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V | — |
| Drive Voltage (Rds On Max) | 6 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | 206 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14.2 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 3.84 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 3.84 nF | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) | TO-220AB (3-lead through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Part Number | — | IRFB3207ZPBF |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 120 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 170 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free) |
| MSL स्तर | — | N/A (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved Z-variant ruggedness) |