IPB019N08N3GATMA1 vs IRFB3207ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB019N08N3GATMA1 מאת Infineon ו IRFB3207ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB019N08N3GATMA1 IRFB3207ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 3 HEXFET
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 180 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V —
Drive Voltage (Rds On Max) 6 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V 206 nC —
Input Capacitance (Ciss) 14.2 nF —
Output Capacitance (Coss) 3.84 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 3.84 nF —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) TO-220AB (3-lead through-hole)
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
סטטוס RoHS Compliant —
Part Number — IRFB3207ZPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
רמת MSL — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר