IPB019N08N3GATMA1 vs IRFB3207ZPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB019N08N3GATMA1 tarafından Infineon ve IRFB3207ZPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB019N08N3GATMA1 IRFB3207ZPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 3 HEXFET
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 180 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V —
Drive Voltage (Rds On Max) 6 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V 206 nC —
Input Capacitance (Ciss) 14.2 nF —
Output Capacitance (Coss) 3.84 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 3.84 nF —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) TO-220AB (3-lead through-hole)
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
RoHS Durumu Compliant —
Part Number — IRFB3207ZPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
MSL Seviyesi — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin