IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB120P04P4L03ATMA2 द्वारा Infineon और IPD90P04P405ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |