IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB120P04P4L03ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD90P04P405ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| پیکیج | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |