IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD35N10S3L26ATMA2 द्वारा Infineon और IPD30N10S3L34ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | OptiMOS-T2 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) |
| पिन काउंट | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 57 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 31 mΩ @ VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | 23 nC |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +175°C |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |