IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD35N10S3L26ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD30N10S3L34ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | OptiMOS-T2 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) |
| پن کی تعداد | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 57 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 31 mΩ @ VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | 23 nC |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |