IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD35N10S3L26ATMA2 tarafından Infineon ve IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD35N10S3L26ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T2
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Pin Sayısı 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin