IPD90N06S404ATMA2 vs IPD068N10N3GATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90N06S404ATMA2 द्वारा Infineon और IPD068N10N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD068N10N3GATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD90N06S404ATMA2 IPD068N10N3GATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
पैकेज PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (Green Product) Compliant
MSL स्तर MSL1 1
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध