IPD90N06S404ATMA2 vs IPD068N10N3GATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD90N06S404ATMA2 bằng Infineon và IPD068N10N3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD068N10N3GATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD90N06S404ATMA2 IPD068N10N3GATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
Hộp PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Cấp MSL MSL1 1
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá