IPD90N06S404ATMA2 vs IPD068N10N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD90N06S404ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD068N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD90N06S404ATMA2 IPD068N10N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant (Green Product) Compliant
MSL لیول MSL1 1
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں