IPG16N10S461AATMA1 vs IPG16N10S4L61AATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG16N10S461AATMA1 द्वारा Infineon और IPG16N10S4L61AATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG16N10S461AATMA1 | IPG16N10S4L61AATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Type | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | Logic-Level, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 16 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | 61 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 29 W (T_C = 25°C) | — |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual, separate) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Count | 8 | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel (Array) |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | — | 16 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 29 W |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +175C (TJ) |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | — | MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |