IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN95R1K2P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPN80R4K5P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 - 800V 1.5A CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN80R4K5P7ATMA1 - 800V 1.5A CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN80R4K5P7ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPN95R1K2P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
पैकेज SOT-223-3 (PG-SOT223) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C —
Packaging Tape & Reel —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Part Status Active —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

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