IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPN95R1K2P7ATMA1 מאת Infineon ו IPN80R4K5P7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPN95R1K2P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
מארז SOT-223-3 (PG-SOT223) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C —
Packaging Tape & Reel —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Part Status Active —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר