IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil IPN95R1K2P7ATMA1 dari Infineon dan IPN80R4K5P7ATMA1 dari Infineon. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum IPN95R1K2P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
Paket SOT-223-3 (PG-SOT223) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Jumlah Pin 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
Rentang Suhu Kerja -55C to +150C —
Packaging Tape & Reel —
Status RoHS Compliant Compliant
Part Status Active —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon