IPP60R180P7XKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP60R180P7XKSA1 द्वारा Infineon और IPL60R105P7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP60R180P7XKSA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | 72 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL स्तर | N/A (through-hole) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Channel Type | — | N-Channel |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |