IPP60R180P7XKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP60R180P7XKSA1 IPL60R105P7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55C to +150C
پیکیج PG-TO220-3 (through-hole) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
پنز کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول N/A (through-hole) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں