IPP60R180P7XKSA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP60R180P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPL60R105P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP60R180P7XKSA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | 72 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TO220-3 (through-hole) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL Seviyesi | N/A (through-hole) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Klorürsüz | — | Yes |