IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L024ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | IAUCN08S7L024ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 422 A | — |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | 0.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | +175 degrees C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 degrees C to +175 degrees C | -55C to +175C (Tj) |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 | PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench-Gate) | OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade per Infineon datasheet | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 177 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (Silicon-limited) | — | 150 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.4 mΩ at VGS=10 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 148 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| MSL स्तर | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |