IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L024ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | IAUCN08S7L024ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 422 A | — |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | 0.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | +175 degrees C | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 degrees C to +175 degrees C | -55C to +175C (Tj) |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 | PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench-Gate) | OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade per Infineon datasheet | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 177 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (Silicon-limited) | — | 150 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.4 mΩ at VGS=10 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 148 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| MSL لیول | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |