IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L024ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 degrees C to +175 degrees C -55C to +175C (Tj)
Paket PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
RoHS Durumu Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin